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Markenbezeichnung: | Upperbond |
Modellnummer: | Hersteller |
MOQ: | 2 PC |
Preis: | Verhandlungsfähig |
Lieferzeit: | 5-8 Tage |
Zahlungsbedingungen: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
Superzigaretten-Maschinen-Ersatzteile könig-Size 7.8*100mm Irfz44nl Protos
Ein Transistor ist ein Halbleiterbauelement, das benutzt wird, um elektronische Signale und elektrische Leistung zu verstärken oder zu schalten. Transistoren sind einer der Grundbausteine der modernen Elektronik. Sie wird aus Halbleitermaterial normalerweise mit mindestens drei Anschlüssen für Verbindung zu einem externen Stromkreis verfasst.
Taschen-Transistor-Radio
Der erste „Prototyp“ Taschen-Transistorradio wurde durch INTERMETALL (eine Firma gegründet von Herbert Mataré im Jahre 1952) beim Internationale Funkausstellung Düsseldorf zwischen dem 29. August 1953 und dem 6. September 1953 gezeigt. Der erste „Produktions“ Taschen-Transistorradio war die Regentschaft TR-1, im Oktober 1954 freigesetzt.
MOSFET
Der Metall-Oxidhalbleiterfeldeffekttransistor (MOSFET), alias der MOS-Transistor, wurden durch Mohamed Atalla und Dawon Kahng im Jahre 1959 erfunden. Der MOSFET war der erste wirklich kompakte Transistor, der für eine breite Palette des Gebrauches miniaturisiert werden und in Serienfertigung hergestellt werden könnte. Mit seiner hohen Ersteigbarkeit und viel niedrigerer Leistungsaufnahme und mitern hoher Dichte als bipolar Transistor, machte der MOSFET es möglich, zu errichten integrierte Schaltungen mit hoher Dichte und erlaubte die Integration von mehr als 10.000 Transistoren in einzelnen IC.
Spannungsabfall
Das Bild stellt ein typisches bipolar Transistor in einem Stromkreis dar. Eine Gebühr fließt zwischen Emitter und Kollektoranschlüsse abhängig von dem Strom in die Basis. Weil innerlich die Basis- und Emitterverbindungen wie eine Halbleiterdiode sich benehmen, entwickelt sich ein Spannungsabfall zwischen Basis und Emitter, während der niedrige Strom existiert. Die Menge dieser Spannung hängt vom Material, das der Transistor von hergestellt wird ab und gekennzeichnet als VBE.
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Markenbezeichnung: | Upperbond |
Modellnummer: | Hersteller |
MOQ: | 2 PC |
Preis: | Verhandlungsfähig |
Verpackungsdetails: | Karton |
Zahlungsbedingungen: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
Superzigaretten-Maschinen-Ersatzteile könig-Size 7.8*100mm Irfz44nl Protos
Ein Transistor ist ein Halbleiterbauelement, das benutzt wird, um elektronische Signale und elektrische Leistung zu verstärken oder zu schalten. Transistoren sind einer der Grundbausteine der modernen Elektronik. Sie wird aus Halbleitermaterial normalerweise mit mindestens drei Anschlüssen für Verbindung zu einem externen Stromkreis verfasst.
Taschen-Transistor-Radio
Der erste „Prototyp“ Taschen-Transistorradio wurde durch INTERMETALL (eine Firma gegründet von Herbert Mataré im Jahre 1952) beim Internationale Funkausstellung Düsseldorf zwischen dem 29. August 1953 und dem 6. September 1953 gezeigt. Der erste „Produktions“ Taschen-Transistorradio war die Regentschaft TR-1, im Oktober 1954 freigesetzt.
MOSFET
Der Metall-Oxidhalbleiterfeldeffekttransistor (MOSFET), alias der MOS-Transistor, wurden durch Mohamed Atalla und Dawon Kahng im Jahre 1959 erfunden. Der MOSFET war der erste wirklich kompakte Transistor, der für eine breite Palette des Gebrauches miniaturisiert werden und in Serienfertigung hergestellt werden könnte. Mit seiner hohen Ersteigbarkeit und viel niedrigerer Leistungsaufnahme und mitern hoher Dichte als bipolar Transistor, machte der MOSFET es möglich, zu errichten integrierte Schaltungen mit hoher Dichte und erlaubte die Integration von mehr als 10.000 Transistoren in einzelnen IC.
Spannungsabfall
Das Bild stellt ein typisches bipolar Transistor in einem Stromkreis dar. Eine Gebühr fließt zwischen Emitter und Kollektoranschlüsse abhängig von dem Strom in die Basis. Weil innerlich die Basis- und Emitterverbindungen wie eine Halbleiterdiode sich benehmen, entwickelt sich ein Spannungsabfall zwischen Basis und Emitter, während der niedrige Strom existiert. Die Menge dieser Spannung hängt vom Material, das der Transistor von hergestellt wird ab und gekennzeichnet als VBE.