Herkunftsort: | China |
Markenname: | Upperbond |
Zertifizierung: | CE, ISO |
Modellnummer: | Hersteller |
Min Bestellmenge: | 2 PC |
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Preis: | Negotiable |
Verpackung Informationen: | Karton |
Lieferzeit: | 5-8 Tage |
Zahlungsbedingungen: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 10000 PC/Monat |
Einschiffungshafen: | Guangzhou, Shanghai | Härte: | Groß erhöht |
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Andere Modelle: | Skoda, CME, Sasib | Zigaretten-Durchmesser: | 5.4mm - 8.0mm |
Maschinen-Modelle: | Protos passim MK8, MK9, | Material: | Behandelter Edelstahl |
Markieren: | Zigaretten-Verpackungsmaschine-Komponenten,Zigaretten-Verpackungsmaschine-Silikon-Transistor,Zigaretten-Maschinen-Teile Irfz44ns |
Flache Irfz44ns-Silikon-Transistor-Zigaretten-Verpackungsmaschine-Teile
Ein Transistor ist ein Halbleiterbauelement, das benutzt wird, um elektronische Signale und elektrische Leistung zu verstärken oder zu schalten. Transistoren sind einer der Grundbausteine der modernen Elektronik. Sie wird aus Halbleitermaterial normalerweise mit mindestens drei Anschlüssen für Verbindung zu einem externen Stromkreis verfasst.
Material
Die meisten Transistoren werden vom sehr reinen Silikon und von einigem vom Germanium hergestellt, aber bestimmte andere Halbleitermaterialien werden manchmal benutzt. Ein Transistor möglicherweise hat möglicherweise nur eine Art Ladungsträger, in einem Feldeffekttransistor oder hat zwei Arten Ladungsträger in den bipolar Transistor-Geräten.
Bipolar Transistor
Die ersten bipolar Transistor wurden von William Shockley Bell-Labors erfunden, der Patent (2.569.347) am 26. Juni 1948 beantragte. Am 12. April 1950 hatten Bell Labs-Chemiker Gordon Teal und Morgan Sparks erfolgreich einen arbeitenden Verstärkungsgermaniumtransistor zweipoliger NPN-Kreuzung produziert.
Massenproduktion
In den fünfziger Jahren forschte ägyptischer Ingenieur Mohamed Atalla die Oberflächeneigenschaften von Silikonhalbleitern bei Bell Labs nach, in dem er eine neue Methode der Halbleiterbauelementherstellung vorschlug, eine Siliziumscheibe mit einer Isolierschicht Siliziumoxid beschichtend, damit Strom zum Leitsilikon unten zuverlässig eindringen konnte und überwinden die Oberflächenzustände, die Strom am Erreichen der Halbleiterschicht verhinderten. Dieses bekannt als Oberflächenstabilisierung, eine Methode, die zur Halbleiterindustrie als sie ermöglichte später die Massenproduktion von den Silikonintegrierten schaltungen kritisch wurde.
Ansprechpartner: Kiana
Telefon: +8613824425740
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