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Einzelheiten zu den Produkten

Created with Pixso. Zu Hause Created with Pixso. Produits Created with Pixso.
Passim Zigaretten-Maschinen-Ersatzteile
Created with Pixso. Hauni Protos Nano--Kretek, das Maschine elektronisches Teil Irfz44nl macht

Hauni Protos Nano--Kretek, das Maschine elektronisches Teil Irfz44nl macht

Markenbezeichnung: Upperbond
Modellnummer: Hersteller
MOQ: 2 PC
Preis: Verhandlungsfähig
Lieferzeit: 5-8 Tage
Zahlungsbedingungen: T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal
Einzelheiten
Herkunftsort:
China
Zertifizierung:
CE, ISO
Kundengerecht:
Positiv
Maschinen-Modelle:
Protos passim MK8, MK9,
Seetransport:
Nur bei größeren Bestellungen
Andere Modelle:
Skoda, CME, Sasib
Einschiffungshafen:
Guangzhou, Shanghai
Zigaretten-Durchmesser:
5.4mm - 8.0mm
Verpackung Informationen:
Karton
Versorgungsmaterial-Fähigkeit:
10000 PC/Monat
Hervorheben:

Kretek

,

das Maschine Irfz44nl herstellt

,

Kretek

Beschreibung des Produkts

Hauni Protos Nano--Kretek, das Maschine elektronisches Teil Irfz44nl macht

Ein Transistor ist ein Halbleiterbauelement, das benutzt wird, um elektronische Signale und elektrische Leistung zu verstärken oder zu schalten. Transistoren sind einer der Grundbausteine der modernen Elektronik. Sie wird aus Halbleitermaterial normalerweise mit mindestens drei Anschlüssen für Verbindung zu einem externen Stromkreis verfasst.

1. Quelle-Abfluss-Bewertungen und Eigenschaften

Parameter Art Maximum.
Ist Ununterbrochener Quellstrom (Körper-Diode) 49
Theorie Pulsierter Quellstrom (Körper-Diode)① 160
VsD Dioden-Vorwärtsspannung 1,3
trr Rückgenesungszeit 63 95
Qrr Rückwiederaufnahme-Gebühr 170 260

2. Bipolar Transistor

Die ersten bipolar Transistor wurden von William Shockley Bell-Labors erfunden, der Patent (2.569.347) am 26. Juni 1948 beantragte. Am 12. April 1950 hatten Bell Labs-Chemiker Gordon Teal und Morgan Sparks erfolgreich einen arbeitenden Verstärkungsgermaniumtransistor zweipoliger NPN-Kreuzung produziert.

3. Hochfrequenztransistor

Der erste Hochfrequenztransistor war der Oberflächesperrengermaniumtransistor, der durch Philco im Jahre 1953 entwickelt wurde, fähig zum Betrieb von bis 60 MHZ. Diese wurden gemacht, indem man Krisen in eine n-artige Germaniumbasis von beiden Seiten mit Jets des Indiums ätzte (III) Sulfat, bis es einige ten-thousandths eines Zoll dick war. Indium galvanisierte in die Krisen bildete den Kollektor und den Emitter.

Hauni Protos Nano--Kretek, das Maschine elektronisches Teil Irfz44nl macht 0

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Hauni Protos Nano--Kretek, das Maschine elektronisches Teil Irfz44nl macht

Markenbezeichnung: Upperbond
Modellnummer: Hersteller
MOQ: 2 PC
Preis: Verhandlungsfähig
Verpackungsdetails: Karton
Zahlungsbedingungen: T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal
Einzelheiten
Herkunftsort:
China
Markenname:
Upperbond
Zertifizierung:
CE, ISO
Modellnummer:
Hersteller
Kundengerecht:
Positiv
Maschinen-Modelle:
Protos passim MK8, MK9,
Seetransport:
Nur bei größeren Bestellungen
Andere Modelle:
Skoda, CME, Sasib
Einschiffungshafen:
Guangzhou, Shanghai
Zigaretten-Durchmesser:
5.4mm - 8.0mm
Min Bestellmenge:
2 PC
Preis:
Verhandlungsfähig
Verpackung Informationen:
Karton
Lieferzeit:
5-8 Tage
Zahlungsbedingungen:
T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal
Versorgungsmaterial-Fähigkeit:
10000 PC/Monat
Hervorheben:

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,

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,

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Ein Transistor ist ein Halbleiterbauelement, das benutzt wird, um elektronische Signale und elektrische Leistung zu verstärken oder zu schalten. Transistoren sind einer der Grundbausteine der modernen Elektronik. Sie wird aus Halbleitermaterial normalerweise mit mindestens drei Anschlüssen für Verbindung zu einem externen Stromkreis verfasst.

1. Quelle-Abfluss-Bewertungen und Eigenschaften

Parameter Art Maximum.
Ist Ununterbrochener Quellstrom (Körper-Diode) 49
Theorie Pulsierter Quellstrom (Körper-Diode)① 160
VsD Dioden-Vorwärtsspannung 1,3
trr Rückgenesungszeit 63 95
Qrr Rückwiederaufnahme-Gebühr 170 260

2. Bipolar Transistor

Die ersten bipolar Transistor wurden von William Shockley Bell-Labors erfunden, der Patent (2.569.347) am 26. Juni 1948 beantragte. Am 12. April 1950 hatten Bell Labs-Chemiker Gordon Teal und Morgan Sparks erfolgreich einen arbeitenden Verstärkungsgermaniumtransistor zweipoliger NPN-Kreuzung produziert.

3. Hochfrequenztransistor

Der erste Hochfrequenztransistor war der Oberflächesperrengermaniumtransistor, der durch Philco im Jahre 1953 entwickelt wurde, fähig zum Betrieb von bis 60 MHZ. Diese wurden gemacht, indem man Krisen in eine n-artige Germaniumbasis von beiden Seiten mit Jets des Indiums ätzte (III) Sulfat, bis es einige ten-thousandths eines Zoll dick war. Indium galvanisierte in die Krisen bildete den Kollektor und den Emitter.

Hauni Protos Nano--Kretek, das Maschine elektronisches Teil Irfz44nl macht 0