Herkunftsort: | China |
Markenname: | Upperbond |
Zertifizierung: | CE, ISO |
Modellnummer: | Hersteller |
Min Bestellmenge: | 2 PC |
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Preis: | Negotiable |
Verpackung Informationen: | Karton |
Lieferzeit: | 5-8 Tage |
Zahlungsbedingungen: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 10000 PC/Monat |
Farbe: | Grau / Silber | Einschiffungshafen: | Guangzhou, Shanghai |
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Maschinenanwendbar: | Zigarettenhersteller | Maschinenmodelle: | Protos, Passim, MK8, MK9, |
Zigarettendurchmesser: | 5,4 mm - 8,0 mm | Bedingung: | Nagelneu |
Markieren: | Passim Zigaretten-Maschinen-Transistor,Irfz44ns-Zigaretten-Maschinen-Ersatzteile,Passim Zigaretten-Maschinerie-Zusätze |
Irfz44ns-Modell-Electric Accessory Passim-Zigaretten-Maschinen-Ersatzteile
Ein Transistor ist ein Halbleiterbauelement, das benutzt wird, um elektronische Signale und elektrische Leistung zu verstärken oder zu schalten. Transistoren sind einer der Grundbausteine der modernen Elektronik. Sie wird aus Halbleitermaterial normalerweise mit mindestens drei Anschlüssen für Verbindung zu einem externen Stromkreis verfasst.
Hochfrequenztransistor
Der erste Hochfrequenztransistor war der Oberflächesperrengermaniumtransistor, der durch Philco im Jahre 1953 entwickelt wurde, fähig zum Betrieb von bis 60 MHZ. Diese wurden gemacht, indem man Krisen in eine n-artige Germaniumbasis von beiden Seiten mit Jets des Indiums ätzte (III) Sulfat, bis es einige ten-thousandths eines Zoll dick war. Indium galvanisierte in die Krisen bildete den Kollektor und den Emitter.
MOSFET
Der Metall-Oxidhalbleiterfeldeffekttransistor (MOSFET), alias der MOS-Transistor, wurden durch Mohamed Atalla und Dawon Kahng im Jahre 1959 erfunden. Der MOSFET war der erste wirklich kompakte Transistor, der für eine breite Palette des Gebrauches miniaturisiert werden und in Serienfertigung hergestellt werden könnte. Mit seiner hohen Ersteigbarkeit und viel niedrigerer Leistungsaufnahme und mitern hoher Dichte als bipolar Transistor, machte der MOSFET es möglich, zu errichten integrierte Schaltungen mit hoher Dichte und erlaubte die Integration von mehr als 10.000 Transistoren in einzelnen IC.
Spannungsabfall
Das Bild stellt ein typisches bipolar Transistor in einem Stromkreis dar. Eine Gebühr fließt zwischen Emitter und Kollektoranschlüsse abhängig von dem Strom in die Basis. Weil innerlich die Basis- und Emitterverbindungen wie eine Halbleiterdiode sich benehmen, entwickelt sich ein Spannungsabfall zwischen Basis und Emitter, während der niedrige Strom existiert. Die Menge dieser Spannung hängt vom Material, das der Transistor von hergestellt wird ab und gekennzeichnet als VBE.
Ansprechpartner: Kiana
Telefon: +8613824425740
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