Herkunftsort: | China |
Markenname: | Upperbond |
Zertifizierung: | CE, ISO |
Modellnummer: | Maker |
Min Bestellmenge: | 2 pcs |
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Preis: | Negotiable |
Verpackung Informationen: | Karton |
Lieferzeit: | 5-8 days |
Zahlungsbedingungen: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 10000 PC/Monat |
Einschiffungshafen: | Guangzhou, Shanghai | Kundengerecht: | Positiv |
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Andere Modelle: | Skoda, CME, Sasib | Zigaretten-Durchmesser: | 5.4mm - 8.0mm |
Maschinen-Modelle: | Protos passim MK8, MK9, | Seetransport: | Mit nur größeren Aufträgen |
Markieren: | Zigaretten-Maschinen-Ersatzteil-Transistor,Protos-Zigaretten-Maschinen-Transistor,Protos-Zigaretten-Maschinen-Komponenten-Transistor |
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Ein Transistor ist ein Halbleiterbauelement, das benutzt wird, um elektronische Signale und elektrische Leistung zu verstärken oder zu schalten. Transistoren sind einer der Grundbausteine der modernen Elektronik. Sie wird aus Halbleitermaterial normalerweise mit mindestens drei Anschlüssen für Verbindung zu einem externen Stromkreis verfasst.
Mechanismus
Eine Spannung oder ein Strom trafen auf ein Paar der Anschlüsse des Transistors steuert den Strom durch eine anderen Paare Anschlüsse zu. Weil die kontrollierte (Ertrag) Macht als die Kontrolle(Input) Macht höher sein kann, kann ein Transistor ein Signal verstärken. Heute werden einige Transistoren einzeln verpackt, aber viel mehr werden eingebettet in den integrierten Schaltungen gefunden.
Spannungsabfall
Das Bild stellt ein typisches bipolar Transistor in einem Stromkreis dar. Eine Gebühr fließt zwischen Emitter und Kollektoranschlüsse abhängig von dem Strom in die Basis. Weil innerlich die Basis- und Emitterverbindungen wie eine Halbleiterdiode sich benehmen, entwickelt sich ein Spannungsabfall zwischen Basis und Emitter, während der niedrige Strom existiert. Die Menge dieser Spannung hängt vom Material, das der Transistor von hergestellt wird ab und gekennzeichnet als VBE.
CMOS
CMOS (ergänzender MOS) wurde von Chih-Tang Sah und von Frank Wanlass an Fairchild-Halbleiter im Jahre 1963 erfunden. Der erste Bericht eines Schwimmentor MOSFET wurde von Dawon Kahng und von Simon Sze im Jahre 1967 gemacht. Ein Doppeltor MOSFET wurde zuerst im Jahre 1984 von den elektrotechnischen Laborforschern Toshihiro Sekigawa und Yutaka Hayashi demonstriert
Ansprechpartner: Kiana
Telefon: +8613824425740
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