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Max Super Slim Silicon Transistor D2 PAK Cigarette Packing Machine Parts

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Max Super Slim Silicon Transistor D2 PAK Cigarette Packing Machine Parts
Produktdetails:
Herkunftsort: China
Markenname: Upperbond
Zertifizierung: CE, ISO
Modellnummer: Hersteller
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 2 PC
Preis: Negotiable
Verpackung Informationen: Karton
Lieferzeit: 5-8 Tage
Zahlungsbedingungen: T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 10000 PC/Monat
Kontakt
Ausführliche Produkt-Beschreibung
Material: Behandelter Edelstahl Maschinen-Modelle: Protos passim MK8, MK9,
Härte: Groß erhöht Andere Modelle: Skoda, CME, Sasib
Einschiffungshafen: Guangzhou, Shanghai Zigaretten-Durchmesser: 5.4mm - 8.0mm
Markieren:

Zigaretten-Verpackungsmaschine-Transistor

,

Zigaretten-Maschinen-Silikon-Transistor

,

Zigaretten-Maschinen-dünner Silikon-Transistor

Max Super Slim Silicon Transistor D2 PAK Cigarette Packing Machine Parts

Ein Transistor ist ein Halbleiterbauelement, das benutzt wird, um elektronische Signale und elektrische Leistung zu verstärken oder zu schalten. Transistoren sind einer der Grundbausteine der modernen Elektronik. Sie wird aus Halbleitermaterial normalerweise mit mindestens drei Anschlüssen für Verbindung zu einem externen Stromkreis verfasst.

IRFZ44NS/LPbF

Parameter Min.
V (BR) DSS Abfluss-zu-Quelldurchbruchsspannung 55
△仏 Tj V (BR) DSS Durchbruchsspannung Temp. Koeffizient
RDS (an) Statischer Abfluss-zu-Quellauf-widerstand
VGS (Th) Tor-Schwellen-Spannung 2,0
gts Vorwärtstransconductance 19
bss Abfluss-zu-Quelldurchsickern-Strom
Verlust Tor-zu-Quellvorwärtsdurchsickern
Tor-zu-Quellrückdurchsickern
Qg Gesamttor-Gebühr
Qgs Tor-zu-Quellgebühr
Qgd Gebühr des Tor-zu-Abfluss-(„Miller“)
TD (an) Einschaltverzögerungs-Zeit
tr Anstiegszeit
TD (weg) Abschaltverzögerungs-Zeit
tf Abfallzeit
Ls Interne Quellinduktanz
Cjss Eingegebene Kapazitanz
Coss Ausgangskapazität
Crss Rückübergangskapazitanz
Eas Einzelimpuls-Lawine Energy®

Benennung

Der Ausdrucktransistor wurde von John R. Pierce als Kontraktion des Ausdruck transresistance geprägt. Entsprechend Lillian Hoddeson und Vicki Daitch hatten Autoren einer Biografie von John Bardeen, Shockley vorgeschlagen, dass das erste Patent Bell-Labors für einen Transistor auf der Feldwirkung basieren sollte und dass er als der Erfinder genannt wird.

Hochfrequenztransistor

Der erste Hochfrequenztransistor war der Oberflächesperrengermaniumtransistor, der durch Philco im Jahre 1953 entwickelt wurde, fähig zum Betrieb von bis 60 MHZ. Diese wurden gemacht, indem man Krisen in eine n-artige Germaniumbasis von beiden Seiten mit Jets des Indiums ätzte (III) Sulfat, bis es einige ten-thousandths eines Zoll dick war. Indium galvanisierte in die Krisen bildete den Kollektor und den Emitter.

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Kontaktdaten
HK UPPERBOND INDUSTRIAL LIMITED

Ansprechpartner: Kiana

Telefon: +8613824425740

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