Durch-Loch-Version Mosfet Irfz44ns Hauni Protos Nano-für Kretek-Maschinen

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Silikon-Transistor

Der Vorarbeitensilikontransistor wurde bei Bell Labs am 26. Januar 1954, von Morris Tanenbaum entwickelt. Der erste Handelssilikontransistor wurde von Texas Instruments im Jahre 1954 produziert. Dieses war die Arbeit von Gordon Teal, ein Experte in wachsenden Kristallen des hohen Reinheitsgrades, die vorher bei Bell Labs gearbeitet hatten.

Hochfrequenztransistor

Der erste Hochfrequenztransistor war der Oberflächesperrengermaniumtransistor, der durch Philco im Jahre 1953 entwickelt wurde, fähig zum Betrieb von bis 60 MHZ. Diese wurden gemacht, indem man Krisen in eine n-artige Germaniumbasis von beiden Seiten mit Jets des Indiums ätzte (III) Sulfat, bis es einige ten-thousandths eines Zoll dick war. Indium galvanisierte in die Krisen bildete den Kollektor und den Emitter.

Punkt-Kontakt-Transistor

Im Jahre 1948 wurde der Punktkontakttransistor unabhängig von den deutschen Physikern Herbert Mataré und Heinrich Welker beim Arbeiten am Compagnie DES Freins und Signaux Westinghouse, eine Westinghouse-Tochtergesellschaft erfunden, die in Paris gelegen ist. Mataré hatte vorhergehende Erfahrung in sich entwickelnden Kristalldetektoren vom Silikon und vom Germanium in der deutschen Radarbemühung während des Zweiten Weltkrieges. Unter Verwendung dieses Wissens fing er an, das Phänomen „der Störung“ im Jahre 1947 zu erforschen.