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Nagelneue verpackende Einheiten MK8D Kretek schalten Irfz44nl-Transistor

Nagelneue verpackende Einheiten MK8D Kretek schalten Irfz44nl-Transistor

  • Nagelneue verpackende Einheiten MK8D Kretek schalten Irfz44nl-Transistor
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  • Nagelneue verpackende Einheiten MK8D Kretek schalten Irfz44nl-Transistor
Nagelneue verpackende Einheiten MK8D Kretek schalten Irfz44nl-Transistor
Produktdetails:
Herkunftsort: China
Markenname: Upperbond
Zertifizierung: CE, ISO
Modellnummer: Hersteller
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 2 PC
Preis: Negotiable
Verpackung Informationen: Karton
Lieferzeit: 5-8 Tage
Zahlungsbedingungen: T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 10000 PC/Monat
Kontakt
Ausführliche Produkt-Beschreibung
Härte: Groß erhöht Schnitt des Materials: Filter-Seite
Einschiffungshafen: Guangzhou, Shanghai Material: Behandelter Edelstahl
Maschinen-Modelle: Protos passim MK8, MK9, Zigaretten-Durchmesser: 5.4mm - 8.0mm
Markieren:

Transistor der Zigaretten-Maschinen-Irfz44nl

,

Kretek-Verpackungs-Einheits-Transistor

Nagelneue verpackende Einheiten MK8D Kretek schalten Irfz44nl-Transistor

Ein Transistor ist ein Halbleiterbauelement, das benutzt wird, um elektronische Signale und elektrische Leistung zu verstärken oder zu schalten. Transistoren sind einer der Grundbausteine der modernen Elektronik. Sie wird aus Halbleitermaterial normalerweise mit mindestens drei Anschlüssen für Verbindung zu einem externen Stromkreis verfasst.

Punkt-Kontakt-Transistor

Im Jahre 1948 wurde der Punktkontakttransistor unabhängig von den deutschen Physikern Herbert Mataré und Heinrich Welker beim Arbeiten am Compagnie DES Freins und Signaux Westinghouse, eine Westinghouse-Tochtergesellschaft erfunden, die in Paris gelegen ist. Mataré hatte vorhergehende Erfahrung in sich entwickelnden Kristalldetektoren vom Silikon und vom Germanium in der deutschen Radarbemühung während des Zweiten Weltkrieges. Unter Verwendung dieses Wissens fing er an, das Phänomen „der Störung“ im Jahre 1947 zu erforschen.

Material

Die meisten Transistoren werden vom sehr reinen Silikon und von einigem vom Germanium hergestellt, aber bestimmte andere Halbleitermaterialien werden manchmal benutzt. Ein Transistor möglicherweise hat möglicherweise nur eine Art Ladungsträger, in einem Feldeffekttransistor oder hat zwei Arten Ladungsträger in den bipolar Transistor-Geräten.

Absolute Maximalleistungen

Parameter Maximum. Einheiten
Identifikation @ Tq = 25°C Ununterbrochener Abfluss-Strom, Vgs @ 10V 49
lD @ Tc = 100°C Ununterbrochener Abfluss-Strom, Vgs @ 10V 35
Idm Pulsierter Abfluss-Strom① 160
PD-@Ta = 25°C Verlustleistung 3,8 W
PD @TC = 25°C Verlustleistung 94 W
Linearer herabsetzender Faktor 0,63 W/°C
Vgs Tor-zu-Quellspannung ±20 V
Iar Lawinen-Strom① 25
Ohr Sich wiederholende Lawine Energy® 9,4 mJ
dv/dt Höchstdioden-Wiederaufnahme dv/dt③ 5,0 V/ns
Tj Funktionierende Kreuzung und -55 bis + 175 °C

Nagelneue verpackende Einheiten MK8D Kretek schalten Irfz44nl-Transistor 0

Kontaktdaten
HK UPPERBOND INDUSTRIAL LIMITED

Ansprechpartner: Winnie

Telefon: +8613763302491

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