Herkunftsort: | China |
Markenname: | Upperbond |
Zertifizierung: | CE, ISO |
Modellnummer: | Hersteller |
Min Bestellmenge: | 2 PC |
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Preis: | Negotiable |
Verpackung Informationen: | Karton |
Lieferzeit: | 5-8 Tage |
Zahlungsbedingungen: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 10000 PC/Monat |
Zigaretten-Durchmesser: | 5.4mm - 8.0mm | Farbe: | Grau/Silber |
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Einschiffungshafen: | Guangzhou, Shanghai | Maschine anwendbar: | Zigaretten-Hersteller |
Maschinen-Modelle: | Protos passim MK8, MK9, | Bedingung: | Nagelneu |
Markieren: | Irfz44ns für Kretek-Maschinen,Zigaretten-Maschine Irfz44ns,Maschinen-Transistor der Zigaretten-MK9 |
Modell Through-Hole Version Mosfet Irfz44ns Molins MK9 für Kretek-Maschinen
Ein Transistor ist ein Halbleiterbauelement, das benutzt wird, um elektronische Signale und elektrische Leistung zu verstärken oder zu schalten. Transistoren sind einer der Grundbausteine der modernen Elektronik. Sie wird aus Halbleitermaterial normalerweise mit mindestens drei Anschlüssen für Verbindung zu einem externen Stromkreis verfasst.
Quelle-Abfluss-Bewertungen und Eigenschaften
Parameter | Art | Maximum. | |
Ist | Ununterbrochener Quellstrom (Körper-Diode) | — | 49 |
Theorie | Pulsierter Quellstrom (Körper-Diode)① | — | 160 |
VsD | Dioden-Vorwärtsspannung | — | 1,3 |
trr | Rückgenesungszeit | 63 | 95 |
Qrr | Rückwiederaufnahme-Gebühr | 170 | 260 |
Taschen-Transistor-Radio
Der erste „Prototyp“ Taschen-Transistorradio wurde durch INTERMETALL (eine Firma gegründet von Herbert Mataré im Jahre 1952) beim Internationale Funkausstellung Düsseldorf zwischen dem 29. August 1953 und dem 6. September 1953 gezeigt. Der erste „Produktions“ Taschen-Transistorradio war die Regentschaft TR-1, im Oktober 1954 freigesetzt.
Massenproduktion
In den fünfziger Jahren forschte ägyptischer Ingenieur Mohamed Atalla die Oberflächeneigenschaften von Silikonhalbleitern bei Bell Labs nach, in dem er eine neue Methode der Halbleiterbauelementherstellung vorschlug, eine Siliziumscheibe mit einer Isolierschicht Siliziumoxid beschichtend, damit Strom zum Leitsilikon unten zuverlässig eindringen konnte und überwinden die Oberflächenzustände, die Strom am Erreichen der Halbleiterschicht verhinderten. Dieses bekannt als Oberflächenstabilisierung, eine Methode, die zur Halbleiterindustrie als sie ermöglichte später die Massenproduktion von den Silikonintegrierten schaltungen kritisch wurde.
Ansprechpartner: Henry
Telefon: +8615217690467
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