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Nano-Silikon-Transistor D2 PAK Electric Cigarette Machine Parts Hauni Protos

Nano-Silikon-Transistor D2 PAK Electric Cigarette Machine Parts Hauni Protos

  • Nano-Silikon-Transistor D2 PAK Electric Cigarette Machine Parts Hauni Protos
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  • Nano-Silikon-Transistor D2 PAK Electric Cigarette Machine Parts Hauni Protos
Nano-Silikon-Transistor D2 PAK Electric Cigarette Machine Parts Hauni Protos
Produktdetails:
Herkunftsort: China
Markenname: Upperbond
Zertifizierung: CE, ISO
Modellnummer: Hersteller
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 2 PC
Preis: Negotiable
Verpackung Informationen: Karton
Lieferzeit: 5-8 Tage
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 10000 PC/Monat
Kontakt
Ausführliche Produkt-Beschreibung
Zahlungsbedingungen: 50% vordere Zahlung Material: Behandelter Edelstahl
Kapazität: 800-10000 Cigs/Minute Einschiffungshafen: Guangzhou, Shanghai
Zigaretten-Durchmesser: 5.4mm - 8.0mm Maschinen-Modelle: Protos passim MK8, MK9,
Markieren:

Tabak-Maschinen-Silikon-Transistor

,

Zigaretten-Maschinen-Teil-Silikon-Transistor

Nano-Silikon-Transistor D2 PAK Electric Cigarette Machine Parts Hauni Protos

Ein Transistor ist ein Halbleiterbauelement, das benutzt wird, um elektronische Signale und elektrische Leistung zu verstärken oder zu schalten. Transistoren sind einer der Grundbausteine der modernen Elektronik. Sie wird aus Halbleitermaterial normalerweise mit mindestens drei Anschlüssen für Verbindung zu einem externen Stromkreis verfasst.

Punkt-Kontakt-Transistor

Im Jahre 1948 wurde der Punktkontakttransistor unabhängig von den deutschen Physikern Herbert Mataré und Heinrich Welker beim Arbeiten am Compagnie DES Freins und Signaux Westinghouse, eine Westinghouse-Tochtergesellschaft erfunden, die in Paris gelegen ist. Mataré hatte vorhergehende Erfahrung in sich entwickelnden Kristalldetektoren vom Silikon und vom Germanium in der deutschen Radarbemühung während des Zweiten Weltkrieges. Unter Verwendung dieses Wissens fing er an, das Phänomen „der Störung“ im Jahre 1947 zu erforschen.

Hochfrequenztransistor

Der erste Hochfrequenztransistor war der Oberflächesperrengermaniumtransistor, der durch Philco im Jahre 1953 entwickelt wurde, fähig zum Betrieb von bis 60 MHZ. Diese wurden gemacht, indem man Krisen in eine n-artige Germaniumbasis von beiden Seiten mit Jets des Indiums ätzte (III) Sulfat, bis es einige ten-thousandths eines Zoll dick war. Indium galvanisierte in die Krisen bildete den Kollektor und den Emitter.

Silikon-Transistor

Der Vorarbeitensilikontransistor wurde bei Bell Labs am 26. Januar 1954, von Morris Tanenbaum entwickelt. Der erste Handelssilikontransistor wurde von Texas Instruments im Jahre 1954 produziert. Dieses war die Arbeit von Gordon Teal, ein Experte in wachsenden Kristallen des hohen Reinheitsgrades, die vorher bei Bell Labs gearbeitet hatten.


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Ansprechpartner: Winnie

Telefon: +8613763302491

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