Herkunftsort: | China |
Markenname: | Upperbond |
Zertifizierung: | CE, ISO |
Modellnummer: | Hersteller |
Min Bestellmenge: | 2 PC |
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Preis: | Negotiable |
Verpackung Informationen: | Karton |
Lieferzeit: | 5-8 Tage |
Zahlungsbedingungen: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 10000 PC/Monat |
Andere Modelle: | Skoda, CME, Sasib | Anwendung: | Auftragen des Klebers |
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Zigarettengröße: | Königgröße, die Super ist, nehmen/Nano ab | Probe: | Nur wenn Sie aufgeladen werden |
Härte: | Groß erhöht | Seetransport: | Nur bei größeren Bestellungen |
Markieren: | Nano-Silikon-Transistor,Zigaretten-Maschinen-Teil-Transistor |
Nano-Silikon-Transistor D2 PAK Electric Cigarette Machine Parts Sasib 3000
Ein Transistor ist ein Halbleiterbauelement, das benutzt wird, um elektronische Signale und elektrische Leistung zu verstärken oder zu schalten. Transistoren sind einer der Grundbausteine der modernen Elektronik. Sie wird aus Halbleitermaterial normalerweise mit mindestens drei Anschlüssen für Verbindung zu einem externen Stromkreis verfasst.
1. Bedeutung
Transistoren sind die Schlüsselwirkanteile in praktisch aller modernen Elektronik. Viele betrachten folglich den Transistor als eine der größten Erfindungen des 20. Jahrhunderts.
Die Erfindung des ersten Transistors bei Bell Labs wurde einen IEEE-Meilenstein im Jahre 2009 genannt. Die Liste von IEEE-Meilensteinen umfasst auch die Erfindungen des Flächentransistors im Jahre 1948 und des MOSFET im Jahre 1959.
1. CMOS
CMOS (ergänzender MOS) wurde von Chih-Tang Sah und von Frank Wanlass an Fairchild-Halbleiter im Jahre 1963 erfunden. Der erste Bericht eines Schwimmentor MOSFET wurde von Dawon Kahng und von Simon Sze im Jahre 1967 gemacht. Ein Doppeltor MOSFET wurde zuerst im Jahre 1984 von den elektrotechnischen Laborforschern Toshihiro Sekigawa und Yutaka Hayashi demonstriert
1. MOSFET
Der Metall-Oxidhalbleiterfeldeffekttransistor (MOSFET), alias der MOS-Transistor, wurden durch Mohamed Atalla und Dawon Kahng im Jahre 1959 erfunden. Der MOSFET war der erste wirklich kompakte Transistor, der für eine breite Palette des Gebrauches miniaturisiert werden und in Serienfertigung hergestellt werden könnte. Mit seiner hohen Ersteigbarkeit und viel niedrigerer Leistungsaufnahme und mitern hoher Dichte als bipolar Transistor, machte der MOSFET es möglich, zu errichten integrierte Schaltungen mit hoher Dichte und erlaubte die Integration von mehr als 10.000 Transistoren in einzelnen IC.
Ansprechpartner: Kiana
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